实验报告芯片解剖实验报告-20211006135727

时间:2021-10-07 08:20:52 手机站 阅读量:

实验报告芯片解剖实验报告

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实验报告芯片解剖实验报告

实验报告芯片解剖实验报告

  课程名称:芯片解剖实验

  学 号:

  姓 名:

  教 师:

  年6月28日

  实验一 去塑胶芯片的封装

  实验时间: 同组人员:

  一、实验目的

  1.认识集成电路封装知识,集成电路封装种类。

  2.认识集成电路工艺流程。

  3.掌握化学去封装的方法。

  二、实验仪器设施

  1:烧杯,镊子,电炉。

  2:发烟硝酸,弄硫酸,芯片。

  3:超纯水等其余设施。

  三、实验原理和内容

  实验原理:

  1..传统封装:塑料封装、陶瓷封装

  (1)塑料封装(环氧树脂聚合物)

  双列直插 DIP、单列直插 SIP、双列表面安装式封装 SOP、四边形扁平封装 QFP 拥有J型管脚的塑料电极芯片载体PLCC、小外形J引线塑料封装 SOJ

  (2)陶瓷封装

  拥有气密性好,高靠谱性或许大功率

  A.耐熔陶瓷(三氧化二铝和适合玻璃浆料):针栅阵列 PGA、陶瓷扁平封装 FPG

  B.薄层陶瓷:无引线陶瓷封装 LCCC

  2..集成电路工艺

  (1)标准双极性工艺

  (2)CMOS工艺

  (3)BiCMOS工艺

  3.去封装

  1.陶瓷封装

  一般用刀片划开。

  2. 塑料封装

  化学方法腐化,沸煮。

  (1)发烟硝酸 煮(小火) 20~30分钟

  (2)浓硫酸 沸煮 30~50分钟

  实验内容:

  四、实验步骤

  1.翻开抽风柜电源,翻开抽风柜。

  2.将要去封装的芯片(去掉引脚)放入有柄石英烧杯中。

  3.带上塑胶手套,在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适当浓硝酸。(操作时必定注意安全)

  4.将石英烧杯放到电炉上加热,记录加热时间。(注意:火不要太大)

  5.察看烧杯中的变化,并做好记录。

  6.拿出去封装的芯片并冲洗芯片,在显微镜下察看腐化成效。

  7.等达成腐化后,对废液进行办理。

  五、实验数据

  1:开始放入芯片,煮大概2分钟,发烟硝酸即与塑胶封转起反响,

  此时溶液颜色开始变黑。

  2:持续煮芯片,发现塑胶封装开始大批溶解,溶液颜色变污浊。

  3:大概二十五分钟,芯片塑胶部分已经基本去除。

  4:取下烧杯,看到闪亮的芯片伴有反光,此时芯片塑胶已经基本去除。

  六、结果及剖析

  1:加热芯片前要预先用钳子把芯片的金属引脚去除,由于此时假如不去除,它会与酸反响,耗费酸液。

  2:在芯片去塑胶封装的时候,加热必定要小火加热,由于发烟盐酸是易挥发物质,假如采纳大火加热,此中的酸累物质变会分解挥发,惹起简单浓度变低,从而可能照成芯片去封装不完整,或许去封装速度较慢的状况。

  3:经过实验,认识了去塑胶封装的基本方法,和去封装的一般步骤。

  实验二 金属层芯片摄影

  实验时间: 同组人员:

  一、实验目的

  1.学习芯片摄影的方法。

  2.掌握摄影主要操作。

  3. 能够正确使用显微镜和电动平台

  二、实验仪器设施

  1:去封装后的芯片

  2:芯片图像收集电子显微镜和电动平台

  3:实验用PC,和图像收集软件。

  三、实验原理和内容

  1:实验原理

  依据芯片工艺尺寸,选择适合的放大倍数,用带CCD摄像头的显微镜对芯片进行摄影。以队列式对芯片进行图像收集。注意调平芯片,注意摄影时的清楚度。2:实验内容

  收集去封装后金属层照片。

  四、实验步骤

  1.翻开摄影电脑、显微镜、电动平台。

  2.将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转究竟(即载物台最低),当心取下载物台四英寸硅片平方在桌上,用塑料镊子谨小慎微的将裸片放到硅片靠中心的地点上,将硅片放到载物台。

  3.当心挪动硅片尽量将芯片平坦。

  4.翻开摄影软件,成立新摄影任务,选择适合倍数,并调整到显示图像。(此处选择20倍物镜,即拍200倍照片)

  5.将显微镜物镜旋转到最低倍5X,慢慢载物台粗调整旋钮使载物台慢慢上涨,直到有模糊图像,这时需要当心调整载物台地点,直至看到图像最清楚。

  6.察看图像,将芯片调平(方法仔细听取指导老师解说)。

  10.观察整体成效,察看能否有严重错位现象。假如有严重错位,要进行重拍。

  11.保留图像,封闭摄影工程。

  .将显微镜物镜顺时针跳到最低倍(即: 5X)。

  13.逆时针旋转粗调焦旋钮,使载物台降落到最低。

  14.用手柄调理载物台,到居中地点。

  15.封闭显微镜、电动平台和PC机。

  五、实验数据

  收集后的芯片金属层图片以下:

  六、结果及剖析

  1:实验掌握了芯片金属层摄影的方法,电动平台和电子显微镜的使用,熟习了图像收集软件的使用方法。

  2:在拍摄金属层图像时,每拍完一行照片要进行检查,由于芯片有余曝光和聚焦的差别,可能会使某些照片不清楚,对后边的金属层拼接照成困难。因此拍完一行后要对其进行检查,对不切合标准的照片进行从头摄影。

  3:摄影是要保证芯片所有在收集视线里,依据四点确立一个四边形平面,要确立芯片的四个角在收集视线里,就能够保证整个芯片都在收集视线里。

  4:摄影时的倍数选摘要与工程分辨率保持一致,过大或过小会惹起芯片在整个视线里的分辨率,不可以达到适合的成效,因此采纳同样的倍数,保证芯片的在视线图像大小适合。

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